芯片制造为什么这么难？

先进制程需在指甲盖大小的面积上集成数百亿晶体管，涉及光刻、刻蚀、薄膜、掺杂等数百道工序，且对洁净度与精度要求极高，全球仅少数厂商具备先进产能。

什么是摩尔定律？

1965 年英特尔戈登·摩尔观察到芯片晶体管密度约每两年翻番，长期成为产业路线图共识；近年逼近物理与经济极限，增速放缓。

台积电（TSMC）的地位？

1987 年张忠谋创立的台积电开创纯晶圆代工模式，专注制造、不与客户竞争设计，逐步成为全球先进制程代工龙头。

光刻机为什么关键？

光刻把电路图投射到硅片，决定最小线宽；极紫外（EUV）光刻机单价数亿美元，由荷兰 ASML 垄断，是先进制程的『卡脖子』设备。

中国半导体的瓶颈在哪？

设计（华为海思等）已有突破，但制造端在先进制程光刻机、EDA 工具、材料等环节仍依赖海外，国产化是长期攻坚方向。

半导体芯片发展史时间线

1947

晶体管诞生

贝尔实验室发明点接触式晶体管，取代电子管，开启微电子时代。

breakthrough

1958

集成电路

德州仪器基尔比将多个元件集成到单块半导体，发明集成电路。

breakthrough

1960

平面工艺与硅时代

仙童半导体推广平面工艺与硅材料，使芯片可批量制造，奠定产业基础。

milestone

1965

摩尔定律提出

戈登·摩尔在《电子学》杂志撰文，预言芯片集成度每两年翻番。

milestone

1971

Intel 4004 微处理器

英特尔发布全球首款商用单芯片微处理器，集成约 2300 个晶体管。

product

1987

台积电开创代工模式

张忠谋创立台积电，专注晶圆代工，推动芯片设计与制造分工。

foundation

1993

x86 与 Windows 联盟

Intel Pentium 配微软 Windows 主导 PC 市场，Wintel 生态成型。

milestone

2001

0.13μm 铜互连

铜互连与低 k 介质逐步普及，突破铝互连瓶颈，制程进入亚百纳米。

breakthrough

2011

FinFET 三维晶体管

英特尔在 22nm 引入 FinFET 鳍式晶体管，缓解平面晶体管漏电，延续微缩。

breakthrough

2018

7nm 与 EUV 导入

台积电 7nm 量产、EUV 光刻逐步导入，先进制程门槛大幅提升。

milestone

2020

5nm 与算力芯片热

5nm 量产，AI 与高性能计算拉动先进制程需求，芯片成为地缘战略焦点。

product

2023

3nm 与先进封装

台积电 3nm 量产，先进封装（如 CoWoS）成为算力芯片扩能关键。

milestone

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❓ 常见问题

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